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商品詳細
Emerging Resistive Switching Memories. 1st ed. 2016
・ISBN 978-3-319-31570-6 paper EUR 49.99
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★★★
| 著者・編者 | Ouyang, Jianyong, |
|---|---|
| シリーズ | (SpringerBriefs in Materials) |
| 出版社 | (Springer International Publishing AG, SZ) |
| 出版年月 | 2016 |
| ページ数 | 93 pp. |
| 言語 | ENG |
| ニュース番号 | ＜A05-28271＞ |
解説
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.