株式会社極東書店トップ ＞ 商品一覧 ＞ Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices.
商品詳細
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices.
・ISBN 978-1-4987-4512-3 hard GB£ 210.00
￥66,528.- (税込) ※（※）価格はご注文時の参考価格となります。
納品価格につきましては書籍の入荷時点で確定となります。
版元の原価改定、外国為替の変動等により異なる場合がございますので、予めご了承下さい。
お気に入り
★★★
| 著者・編者 | Hao, Yue / Zhang, Jin Feng / Zhang, Jin Cheng, |
|---|---|
| 出版社 | (CRC Press Inc, US) |
| 出版年月 | 2016 |
| ページ数 | 392 pp. |
| 言語 | ENG |
| ニュース番号 | ＜A00-28959＞ |
解説
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.