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商品詳細
Doping Engineering for Front-End Processing: Volume 1070.
・ISBN 978-1-107-40854-8 paper GB£ 26.00
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| 著者・編者 | Pawlak, B. J. / Pelaz, M. L. / Law, M. / Surugo, K. (eds.), |
|---|---|
| シリーズ | (MRS Proceedings) |
| 出版社 | (Cambridge University Press, UK) |
| 出版年月 | 2014 |
| ページ数 | 336 pp. |
| 言語 | ENG |
| ニュース番号 | ＜A00-5557＞ |
解説
Materials scientists, silicon technologists and TCAD researchers come together in this book to share experimental results and physical models, discuss achievements and challenges, and identify key issues for future research in this field. The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.